NPN要求基极比发射极高0.3V已上才会导通,集电极的电位高于基极。PNP则是发射极电位最高,基极要比发射极低0.3V才会导通。上面说的0.3V是锗管的理论值,硅管则为0.7V左右。实际值可能更低。
三极管的导通条件是:集电结加反向电压,发射结加正向电压。PNP三极管的导通电压是UeUbUc;NPN三极管为UcUbUe。集电结加反向电压,就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来,此电压较高,在手机中一般为1~3.6V。发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V;锗管加0.2V。
不一样的。NPN要求基极比发射极高0.3V已上才会导通,集电极的电位高于基极。PNP则是发射极电位最高,基极要比发射极低0.3V才会导通。上面说的0.3V是锗管的理论值,硅管则为0.7V左右。实际值可能更低。
三极管有三种工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时,它的工作状态是不同的三极管的三种状态也叫三个工作区域。PNP型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压:Ueb0.7V即Ue-Ub0.7V
要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)UbUe,UbUc;(PNP型)UeUb,UcUb。